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IRF610中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF610
廠商型號

IRF610

功能描述

N-Channel Power MOSFETs 3.5 A, 150-200 V

文件大小

113.15 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 16:50:00

IRF610規(guī)格書詳情

Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high speed applications, such as switching power supplies, converters, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and other pulse circuits.

● LOW RDS(on)

● VQS Rated at ± 20 V

● Silicon Gate for Fast Switching Speeds

● IDSS, VDS(0n), Specified at Elevated Temperature

● Rugged

● Low Drive Requirements

● Ease of Paralleling

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF610

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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