IRF612中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF612 |
| 功能描述 | N-Channel Power MOSFETs 3.5 A, 150-200 V |
| 文件大小 |
113.15 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-7 14:04:00 |
| 人工找貨 | IRF612價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF612規(guī)格書(shū)詳情
Description
These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high speed applications, such as switching power supplies, converters, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and other pulse circuits.
● LOW RDS(on)
● VQS Rated at ± 20 V
● Silicon Gate for Fast Switching Speeds
● IDSS, VDS(0n), Specified at Elevated Temperature
● Rugged
● Low Drive Requirements
● Ease of Paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF612
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HAR |
23+ |
TOP-3P |
8560 |
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詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
SOP8 |
35400 |
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詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO263 |
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IR |
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IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
4560 |
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
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SEC |
23+24 |
TO-220 |
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主營(yíng)原裝MOS,二三級(jí)管,肖特基,功率場(chǎng)效應(yīng)管 |
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IR |
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IR |
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