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IRF630中文資料富鼎先進(jìn)電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF630
廠商型號(hào)

IRF630

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件大小

94.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Electronics Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

A-POWER富鼎先進(jìn)電子

中文名稱

富鼎先進(jìn)電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-16 23:00:00

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IRF630規(guī)格書詳情

Description

APEC MOSFET provide the power designer with the best combination of fast switching , lower on-resistance and reasonable cost.

The TO-220 and package is universally preferred for all commercial-industrial applications. The device is suited for switch mode power supplies ,DC-AC converters and high current high speed switching circuits.

▼ Ease of Paralleling

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Simple Drive Requirement

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF630

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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