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IRF630中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF630
廠商型號

IRF630

功能描述

N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V

文件大小

106.61 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-29 20:00:00

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IRF630規(guī)格書詳情

Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.

● Low RDS(on)

● VQS Rated at ±20 V

● Silicon Gate for Fast Switching Speeds

● oss. vos(on), Specified at Elevated Temperature

● Rugged

● Low Drive Requirements

● Ease of Paralleling

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF630

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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24+
TO 220
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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