IRF630中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF630規(guī)格書詳情
Description
These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.
● Low RDS(on)
● VQS Rated at ±20 V
● Silicon Gate for Fast Switching Speeds
● oss. vos(on), Specified at Elevated Temperature
● Rugged
● Low Drive Requirements
● Ease of Paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF630
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
6000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | |||
ST |
16+ |
TO220 |
1000 |
向鴻原裝正品/代理渠道/現(xiàn)貨優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-251 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
18689 |
詢價(jià) | |||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO-220 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
76000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO220 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
50 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) |
