IRF630中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF630 |
| 功能描述 | N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V |
| 文件大小 |
106.61 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-13 20:00:00 |
| 人工找貨 | IRF630價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF630規(guī)格書(shū)詳情
Description
These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.
● Low RDS(on)
● VQS Rated at ±20 V
● Silicon Gate for Fast Switching Speeds
● oss. vos(on), Specified at Elevated Temperature
● Rugged
● Low Drive Requirements
● Ease of Paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF630
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
50 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
161449 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-220 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
STM |
14+/15+ |
TO-220AB |
126450 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
2024+ |
NA |
500000 |
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
ST |
2020+ |
TO-220 |
80 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO220 |
3000 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO220 |
6850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價(jià) |
