IRF630中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF630 |
| 功能描述 | N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET |
| 文件大小 |
104.75 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-28 19:36:00 |
| 人工找貨 | IRF630價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF630規(guī)格書詳情
Description
This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
General features
■ Extremely high dv/dt capability
■ Very low intrinsic capacitances
■ Gate charge minimized
Applications
■ Switching application
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF630
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
17+ |
TO-220 |
50 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
161449 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-220 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
HARRIS |
2016+ |
TO-220 |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ST |
17+ |
TO220 |
7155 |
原裝 |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
2024+ |
NA |
500000 |
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
STM |
24+/25+ |
TO-220AB |
126450 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
2000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
INTERNATIONA |
23+ |
原廠封裝 |
9888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO220 |
105 |
大批量供應(yīng)優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣 |
詢價(jià) |
