首頁(yè)>IRF630NL>規(guī)格書詳情

IRF630NL中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF630NL
廠商型號(hào)

IRF630NL

功能描述

N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30?

文件大小

209.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-17 17:22:00

IRF630NL規(guī)格書詳情

Features

? Ultra Low On-Resistance

- rDS(ON) = 0.200? (Typ), VGS = 10V

? Simulation Models

- Temperature Compensated PSPICE? and SABER? Electrical Models

- Spice and SABER? Thermal Impedance Models

? Peak Current vs Pulse Width Curve

? UIS Rating Curve

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF630NL

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
2022
TO-262
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
詢價(jià)
IR
TO-262
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價(jià)
IR
24+
TO-262
8866
詢價(jià)
IR
2020+
TO-262
16800
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價(jià)
IR
2022+
TO-262
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
詢價(jià)
IR
22+
TO-262
32350
原裝正品 假一罰十 公司現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
23+
TO-262
59387
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
詢價(jià)
IR
11+
TO-262
100
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)