IRF634N中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
IRF634N |
功能描述 | Power MOSFET |
文件大小 |
162.91 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-26 21:26:00 |
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IRF634N規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area.This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
FEATURES
? Advanced Process Technology
? Dynamic dV/dt Rating
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRF634N
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1922+ |
TO-263 |
367 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-220 |
55005 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
11+ |
TO-220 |
11000 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TH/韓國太虹 |
2048+ |
TO-220 |
9851 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO-220 |
27729 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
NA/ |
4411 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) |