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IRF640FP_VBSEMI/微碧半導體_MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp京海四部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
IRF640FP
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
相近型號
- IRF640-LF
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- IRF640BPBF
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- IRF640B(FQP19N20C)
- IRF640N(IR)
- IRF640B
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