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IRFL640PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissip

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFS640

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRFS640

Improvedinductiveruggedness

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRFS640

N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

IRFS640

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

IRFS640

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRFS640

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFS640

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFS640A

Improvedgatecharge

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

IRFS640A

RuggedGateOxideTechnology

FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V LowerRDS(ON):0.144(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF640NSPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH 150mOhm HEXFET 200V VDSS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
21+
TO-263
20000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
24+
TO-220
15000
全新原裝的現(xiàn)貨
 詢價
IR
23+
TO-263
65400
詢價
IR
24+
TO-263
500
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
D2PAK
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
IR
2405+
TO-263
4475
只做原裝正品渠道訂貨
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網
 詢價
IR
23+
TO-263
9980
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價
IR
23+
TO-263
20000
原裝正品,假一罰十
 詢價
Infineon
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
更多IRF640NSPBF供應商 更新時間2025-3-29 10:10:00

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