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IRF6611TR1

RoHS compliant containing no lead or bromide

Description TheIRF6611combinesthelatestHEXFET?powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeomet

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF6611TR1

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
DirectFETtradeIso
7500
詢價
IR
23+
QFN
7750
全新原裝優(yōu)勢
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IR
2022+
1350
全新原裝 貨期兩周
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DIRECTFET? MX
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65230
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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21+
QFN
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IRF6611TR1供應商 更新時間2024-12-23 16:30:00

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