IRF7207TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7207TR規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Generation 5 Technology
? P-Channel Mosfet
? Surface Mount
? Available in Tape & Reel
? Dynamic dv/dt Rating
? Fast Switching
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF7207TR
- 功能描述:
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA/ |
115240 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
SO-8 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SO-8 |
65300 |
一級(jí)代理/放心購買! |
詢價(jià) | ||
23+ |
SOP-8 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
IR |
2016+ |
SOP8 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
0509+ |
SO-8 |
2042 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
0509+ |
SO-8 |
2042 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
SO-8 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
SOP-8 |
52293 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |