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IRF7220	文件：141.56 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseP-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications.. TheSO-	IRF International Rectifier	IRF
IRF7220PBF	文件：155.91 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseP-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheSO-8	IRF International Rectifier	IRF
IRF7220GPBF	文件：189.22 Kbytes Page：7 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
ISO7220A	文件：827.47 Kbytes Page：26 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
ISO7220A	文件：734.95 Kbytes Page：25 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
ISO7220A	文件：827.41 Kbytes Page：28 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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ISO7220AD	文件：734.95 Kbytes Page：25 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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ISO7220AD	文件：1.26562 Mbytes Page：35 Pages	DualChannelDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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ISO7220ADR	文件：827.41 Kbytes Page：28 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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ISO7220ADR	文件：1.224852 Mbytes Page：39 Pages	隔離技術(shù)：電容隔離通道數(shù)：2隔離電壓(Viso)：2500VrmsISO7220ADualDigitalIsolator	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 PDF上傳者：深圳市亞泰盈科電子有限公司	TI
ISO7220B	文件：827.41 Kbytes Page：28 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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ISO7220BD	文件：827.47 Kbytes Page：26 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
ISO7220BD	文件：827.41 Kbytes Page：28 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
ISO7220BD	文件：1.26562 Mbytes Page：35 Pages	DualChannelDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF7220
功能描述：
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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