IRF7241中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF7241 |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
178.9 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-15 19:41:00 |
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Description
New trench HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.
● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF7241
- 功能描述：
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
SOP-8 |
38900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IOR |
23+ |
SOP8 |
3200 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
SO8 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
SOP8 |
4000 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
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IOR |
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SOP8 |
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詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
25000 |
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IR |
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NA/ |
50000 |
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詢價(jià) |
