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IRF7309PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF7309PBF
廠商型號(hào)

IRF7309PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

2.09404 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 22:30:00

IRF7309PBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design for which HEXFET Power MOSFETs are well known, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

Generation V Technology

Ultra Low On-Resistance

Dual N and P Channel Mosfet

Surface Mount

Available in Tape & Reel

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF7309PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V DUAL N/P CH 20V VGS MAX

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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