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IRF7342PBF	文件：164.57 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7342PBF	文件：337.75 Kbytes Page：8 Pages	Dual P Channel MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IRF7342QTRPBF	文件：2.04915 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF7342TR	文件：334.84 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelMOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-55V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7342TR	文件：347.05 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelMOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=-55V RDS(ON)105m(VGS=-10V) Features RDS(ON)170m(VGS=-4.5V) TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharac	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7342TRPBF	文件：3.49337 Mbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURES Vos=-60Vb=-38A Roson	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRF7342TRPBF	文件：1.19403 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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ISO7342C	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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ISO7342CDWR	文件：1.47781 Mbytes Page：37 Pages	RobustEMC,Low-Power,Quad-ChannelReinforcedDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF7342PBF
功能描述：
MOSFET DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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