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IRF7521D1

PowerMOSFETandSchottkyDiode

Description ThenewMicro8TMpackage,withhalfthefootprintareaofthestandardSO-8,providesthesmallestfootprintavailableinanSOICoutline.ThismakestheMicro8TManidealdeviceforapplicationswhereprintedcircuitboardspaceisatapremium.Thelowprofile( ●PowerMOSFETand

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF7521D1

FETKY??MOSFET/SchottkyDiode(Vdss=20V,Rds(on)=0.135ohm,SchottkyVf=0.39V)

Description TheFETKYTMfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combini

IRF

International Rectifier

IRF7521D1PBF

Co-packagedHEXFET?PowerMOSFETandSchottkyDiode

Description TheFETKY?familyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combinin

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF7521D1TR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    FETKY™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

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更多IRF7521D1TR供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 16:01:00

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