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IRF7526D1TR

Co-packaged HEXFET? Power MOSFET and Schottky Diode

Description TheFETKYTMfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combini

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IRF7526D1TRPBF

Co-packaged HEXFET?Power MOSFET and Schottky Diode

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IRF7526D1

FETKY??MOSFET&SchottkyDiode(Vdss=-30V,Rds(on)=0.20ohm,SchottkyVf=0.39V)

Description TheFETKYTMfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combini

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Generation5Technology

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Co-packagedHEXFET?PowerMOSFETandSchottkyDiode

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF7526D1TR

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    FETKY™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IRF7526D1TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 16:30:00

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