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IRF7601PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7601PBF
廠商型號

IRF7601PBF

功能描述

Generation V Technology

文件大小

214.35 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 22:30:00

IRF7601PBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Generation V Technology

● Ultra Low On-Resistance

● N-Channel MOSFET

● Very Small SOIC Package

● Low Profile (<1.1mm)

● Available in Tape & Reel

● Fast Switching

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7601PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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