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IRF7607

Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)

Description NewtrenchHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi

IRF

International Rectifier

IRF7607PBF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

International Rectifier

IRF7607TRPBF

Trench Technology

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IRF

International Rectifier

IRF7607PBF

Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF7607PBF_15

Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

KRF7607

HEXFETPowerMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

MT7607H

HighVoltageLinearLEDDriver

MAXICMaxic Technology,Inc.

美芯晟美芯晟科技（北京）有限公司

N7607B

SignalStudioforDFSRadarProfiles

KEYSIGHTKeysight Technologies

是德科技是德科技（中國）有限公司

P7607

SHIELDEDPOWERINDUCTOR

ETAL

ETAL Group

SDT7607

10AMPSILICONPLANARNPNPOWERTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF7607

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
2021+
TSSOP8
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誠信經(jīng)營..品質(zhì)保證..價(jià)格優(yōu)勢
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IOR
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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進(jìn)口原裝
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全新原裝現(xiàn)貨
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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MICRO8
6000
絕對原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IRF7607供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 14:08:00

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