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IRF7726

Power MOSFET(Vdss=-30V)

Description HEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex

IRF

International Rectifier

IRF7726PBF

HEXFET Power MOSFET

Description HEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex

IRF

International Rectifier

IRF7726TR

Ultra Low On-Resistance

Description HEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex

IRF

International Rectifier

IRF7726PBF

Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF7726PBF_15

Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

L7726

RedLEDforopticallinkEmitterfor156MbpsPOFcommunications

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學株式會社

L7726

Emitter/receiverfor156MbpsPOFcommunications

L7726andS7726aredesignedforhigh-speedPOF(PlasticOpticalFiber)communications.Bothdevicesaremoldedintominiatureplasticpackageswithlenses,allowingeasyandefficientcouplingtoaPOF.S7727usesamonolithicphotoICthatensureshighresistancetoexternalnoiseandhighrelia

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學株式會社

NCV7726A

Half-BridgeDriver

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCV7726B

Half-BridgeDriver

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NJU7726X

High-Speed,Rail-to-RailInput,CMOSComparator

FEATURES (V+=5V,Typicalvalue,Ta=25°C) ?PropagationDelay(TPLH/TPHL) -NJU7725x42ns/35ns -NJU7726x125ns/32ns ?Rail-to-RailCommon-ModeInputVoltageRange 0.2VbeyondSupplyRails ?DynamicTransientStabilizerTM -Rail-to-RailInputwithlesspropagationdelay fluctuat

NISSHINBONisshinbo Micro Devices Inc.

日清紡微電子?清紡微電?株式會社

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF7726

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF7726供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 13:00:00

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