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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF7752TR
功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IRF7752TR供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 17:18:00

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