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IRF7805PBF中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7805PBF
廠商型號

IRF7805PBF

功能描述

HEXFET? Chip-Set for DC-DC Converters

文件大小

336.6 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-4 15:00:00

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IRF7805PBF規(guī)格書詳情

Description

This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make this device ideal for high efficiency DC-DC Converters that power the latest generation of mobile microprocessors.

The IRF7805PbF offers maximum efficiency for mobile CPU core DC-DC converters.

● N Channel Application Specific MOSFETs

● Ideal for Mobile DC-DC Converters

● Low Conduction Losses

● Low Switching Losses

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7805PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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