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IRF7807VD1規(guī)格書詳情
Description
The FETKY? family of Co-Pack HEXFET?MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier’s low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.
? Co-Pack N-channel HEXFET? Power MOSFET
and Schottky Diode
? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Vf Schottky Rectifier
? 100 RG Tested
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7807VD1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
FETKY™
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ir |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
SOP8 |
3200 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
ir |
23+ |
NA |
986 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SOP |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
2015+ |
SOP |
19889 |
一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣! |
詢價 | ||
InternationalRectifier |
8-SOIC |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
2022 |
SOP8 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
IOR |
23+ |
SO-8 |
7000 |
絕對全新原裝!100%保質(zhì)量特價!請放心訂購! |
詢價 |
