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IRF7807VD1規(guī)格書詳情
Description
The FETKY? family of Co-Pack HEXFET?MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier’s low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.
? Co-Pack N-channel HEXFET? Power MOSFET
and Schottky Diode
? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Vf Schottky Rectifier
? 100 RG Tested
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7807VD1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
FETKY™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
24+ |
SO-8 |
3200 |
絕對原裝自家現(xiàn)貨!真實庫存!歡迎來電! |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
SOIC8 |
80000 |
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詢價 | ||
IR |
23+ |
SOP8 |
3200 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
IR |
18+ |
SOIC8 |
36375 |
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
IOR |
2023+ |
SOP8 |
3565 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
ir |
23+ |
NA |
986 |
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IR |
22+ |
SOP8 |
5000 |
全新原裝現(xiàn)貨!自家?guī)齑? |
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IR |
24+ |
SOP |
16800 |
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IR |
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SOP-8 |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 |
