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IRF7832PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF7832PBF
廠商型號(hào)

IRF7832PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

262.9 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 19:10:00

IRF7832PBF規(guī)格書詳情

Benefits

● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

● Ultra-Low Gate Impedance

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

● 20V VGS Max. Gate Rating

● 100 tested for Rg

Applications

● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

● Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters in

Networking Systems

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF7832PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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