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IRF820中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF820
廠商型號

IRF820

功能描述

N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

文件大小

140.22 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 20:00:00

IRF820規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS

rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF820

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HSMC
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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ST/意法
21+
TO220
1888
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23+
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6000
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原裝正品
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
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ST/意法
21+
TO220
1888
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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