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IRF822中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF822
廠商型號(hào)

IRF822

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

322.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 9:29:00

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IRF822規(guī)格書詳情

FEATURES

● Lower RDS(ON)

● Improved inductive ruggedness

● Fast switching times

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Lower input capacitance

● Extended safe operating area

● Improved high temperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF822

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

  • 制造商:

    Harris Corporation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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