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IRF8313PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF8313PBF
廠商型號

IRF8313PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

260.41 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-7 22:30:00

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IRF8313PBF規(guī)格書詳情

Description

The IRF8313PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8313PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications.

Benefits

● Low Gate Charge and Low RDS(on)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

● 20V VGS Max. Gate Rating

● 100 Tested for RG

● Lead-Free (Qualified to 260°C Reflow)

● RoHS Compliant (Halogen Free)

Applications

● Load Switch

● DC/DC Conversion

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF8313PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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