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IRF9Z20中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF9Z20
廠商型號(hào)

IRF9Z20

功能描述

P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs

文件大小

220.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 23:00:00

IRF9Z20規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The HEXFET? technology is the key to Vishay’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

The P-Channel HEXFETd are designed for application which require the convenience of reverse polarity operation. They retain all of the features of the more common N-channel HEXFETs such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling, and excellent temperature stability.

FEATURES

■ P-Channel Versatility

■ Compact Plastic Package

■ Fast Switching

■ Low Drive Current

■ Ease of Paralleling

■ Excellent Temperature Stability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF9Z20

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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