IRF9Z34NL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF9Z34NL規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRF9Z34NS)
Low-profile through-hole (IRF9Z34NL)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF9Z34NL
- 功能描述：
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
3635 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO262 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO262 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
9960 |
價(jià)格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
2022 |
TO-220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
IR |
16+ |
TO-220 |
2900 |
優(yōu)勢 |
詢價(jià) |
