首頁>IRFB23N20D>規(guī)格書詳情

IRFB23N20D中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFB23N20D
廠商型號

IRFB23N20D
功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor
文件大小

371.78 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-24 23:21:00

IRFB23N20D規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID=24A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) =0.1Ω(Max)@VGS = 10 V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFB23N20D

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
24+
TO-220AB
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
 詢價
IR
23+
NA/
85
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
Infineon/英飛凌
21+
TO-220(TO-220-3)
6000
原裝現(xiàn)貨正品
 詢價
IR
2020+
TO-220
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
IR
23+
TO-220
35890
詢價
IR
03+
NA
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IR/VISHAY
TO-220
68900
原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價
IR/國際整流器
21+
TO-220
10000
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價
IR
24+
TO-220AB
8866
詢價
NA
19+
74816
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價

相關(guān)庫存

更多