IRFB3307PBF_IR/國(guó)際整流器_MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC柯?tīng)柣娮?/h1>

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量	價(jià)格
1+	面議

• 廠家型號(hào)：

  IRFB3307PBF

• 產(chǎn)品分類：

  芯片

• 生產(chǎn)廠商：

  IR

• 庫(kù)存數(shù)量：

  9865

• 產(chǎn)品封裝：

  TO-220

• 生產(chǎn)批號(hào)：

  23+/24+

• 庫(kù)存類型：

  優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

• 更新時(shí)間：

  2025-1-9 10:18:00

數(shù)據(jù)手冊(cè) 更多貨源

• 詳細(xì)信息
• 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：IRFB3307PBF品牌：IR

主推型號(hào),原裝正品,終端BOM表可配單,可開(kāi)13點(diǎn)稅

• 芯片型號(hào)：

  IRFB3307PBF

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

  IRF詳情

• 廠商全稱：

  International Rectifier

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  12 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  362.47 kb

• 資料說(shuō)明：

  HEXFET
  
  Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

• 類型

  描述

• 型號(hào)：

  IRFB3307PBF

• 功能描述：

  MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC

• RoHS：

  否

• 制造商：

  STMicroelectronics

• 晶體管極性：

  N-Channel

• 汲極/源極擊穿電壓：

  650 V

• 閘/源擊穿電壓：

  25 V

• 漏極連續(xù)電流：

  130 A 電阻汲極/源極

• RDS（導(dǎo)通）：

  0.014 Ohms

• 配置：

  Single

• 安裝風(fēng)格：

  Through Hole

• 封裝/箱體：

  Max247

• 封裝：

  Tube