首頁>IRFB9N65APBF>規(guī)格書詳情
IRFB9N65APBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFB9N65APBF規(guī)格書詳情
HEXFET? Power MOSFET
Benefits
● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
Applications
● Switch Mode Power Supply (SMPS)
● Uninterruptible Power Supply
● High Speed Power Switching
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFB9N65APBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220 |
69355 |
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
NA |
2860 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢價 | |||
VISHAY |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價 | ||
VISHAY |
1645+ |
TO-220 |
8500 |
只做原裝進口,假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
25630 |
原裝正品 |
詢價 |
