首頁(yè)>IRFBE30STRR>詳情

IRFBE30STRR_VISHAY/威世科技_MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK國(guó)宇三部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IRFBE30STRR

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    D2PAK

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-6 14:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IRFBE30STRR品牌：VISHAY/威世

公司只做原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    IRFBE30STRR

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IRFBE30STRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    17704083728

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82578201

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)5107

相近型號(hào)