IRFD110中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFD110規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching and Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD110
- 功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
DIP-4 |
6500 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
9940+ |
DIP4 |
100 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
DIP-4 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
NA/ |
135 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
DIP |
350000 |
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IOR |
23+ |
CDIP4 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
NA |
10658 |
專業(yè)電子元器件供應鏈正邁科技特價代理QQ1304306553 |
詢價 | ||
IR |
27 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | ||||
HARRIS(哈利斯) |
23+ |
DIP4 |
6000 |
誠信服務，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
HVMDIP- |
3800 |
大批量供應優(yōu)勢庫存熱賣 |
詢價 |
