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IRFD9110PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFD9110PBF
廠商型號(hào)

IRFD9110PBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.52087 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 10:48:00

IRFD9110PBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? P-Channel

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD9110PBF

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
22+23+
DIP4
76365
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
Vishay Siliconix
22+
4DIP
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
Vishay Siliconix
21+
4DIP
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
VISHAY(威世)
23+
HVMDIP
7863
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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VISHAY
DIP4
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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IR
22+
DIP4
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
Vishay Siliconix
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4-HVMDIP
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IR
21+
DIP4
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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IR
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DIP-4
12500
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)價(jià)格
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N/A
70000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢價(jià)