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IRFH5010TR2PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFH5010TR2PBF
廠商型號

IRFH5010TR2PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

306.77 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-30 23:00:00

IRFH5010TR2PBF規(guī)格書詳情

Features and Benefits

Features

Low RDSon (< 9 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.5°C/W)

100 Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Industry-Standard Pinout

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Benefits

Lower Conduction Losses

Increased Power Density

Increased Reliability

Increased Power Density

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Applications

? Secondary Side Synchronous Rectification

? Inverters for DC Motors

? DC-DC Brick Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFH5010TR2PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 100V 100A 9.0mOhm 65nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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