IRFL4105中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFL4105規(guī)格書詳情
General Description
These logic level N-Channel enhancement This very
high density process is especially tailored to
minimize on-state resistance and provide
superior
switching performance, and withstand high
energy pulse
in the avalanche and commutation
modes.
These devices are particularly suited for
low voltage applications such as DC motor control
and DC/DC conversion where fast switching, low inline
power loss, and resistance to transients are
needed.
Features
Low drive requirements allowing operation directly from logic
drivers. VGS(TH) < 2V.
High density cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package.
VDS (V) = 60V
RDS(ON) < 100m? (V GS = 10V)
RDS(ON)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFL4105
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
19+ |
74890 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價 | |||
IR |
2023+ |
SOT-223 |
5425 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2614 TO261AA |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
SOT-223 |
6200 |
詢價 | |||
IOR |
22+23+ |
SOT22 |
20901 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SOT-223 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
SOT-223 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOT-223 |
19526 |
詢價 | |||
IR |
2018+ |
26976 |
代理原裝現(xiàn)貨/特價熱賣! |
詢價 | |||
IOR |
2020+ |
SOT22 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 |
