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IRFP9140中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFP9140
廠商型號(hào)

IRFP9140

功能描述

P-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

508.31 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 15:55:00

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IRFP9140規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fsat switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFP9140

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 100V 21 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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