IRFR1010Z中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFR1010Z規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications
Features
? Advanced Process Technology
? Ultra Low On-Resistance
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR1010Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
DPAK |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
DPAK |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
500866 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
5587 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
原廠封裝 |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO-252 |
27098 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
DPAK |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
D-Pak |
8866 |
詢價(jià) |
