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IRFR18N15D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR18N15D
廠商型號

IRFR18N15D

功能描述

SMPS MOSFET

文件大小

126.36 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-30 23:48:00

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IRFR18N15D規(guī)格書詳情

Applications

High frequency DC-DC converters

Benefits

1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001)

3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR18N15D

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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