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IRFR18N15D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFR18N15D規(guī)格書詳情
Applications
High frequency DC-DC converters
Benefits
1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001)
3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFR18N15D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
13+ |
TO-252 |
8864 |
詢價(jià) | |||
23+ |
原廠封裝 |
9888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-252 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
1816+ |
TO-252 |
6523 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
4500 |
全新原裝品牌專營 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
5587 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO-252 |
15700 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-252 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
53411 |
一級代理原裝正品現(xiàn)貨期貨均可訂購 |
詢價(jià) |
