IRFR3303中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFR3303規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount (IRFR3303)
● Straight Lead (IRFU3033)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFR3303
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
10+ |
TO252 |
3000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
6000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
48000 |
12588 |
原裝正品假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
20000 |
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價格可談 |
詢價 | ||
IR |
12+ |
TO-252(DPAK) |
15000 |
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。 |
詢價 | ||
IR |
1923+ |
TO-252 |
6896 |
原裝進口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
