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IRFR3410

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description TheIRFR3410usesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=100VID=30A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR3410

Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR3410

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR3410

Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3410

High frequency DC-DC converters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3410PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR3410PBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFR3410PBF

High frequency DC-DC converters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3410PBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFR3410PBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRFR3410

  • 制造商：

    International Rectifier

  • 功能描述：

    Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK

  • 功能描述：

    MOSFET Transistor Transistor

  • Polarity：

    NP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRFR3410供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 10:12:00

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