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IRFR3410TRPBF

High frequency DC-DC converters

IRF

International Rectifier

IRFR3410TRPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IRFU3410

PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFU3410

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFU3410PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFU3410PBF

HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3410PBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFU3410PBF

HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

IRFU3410PBF

HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3410PBF

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

IRLR3410

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLR3410

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLR3410

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

IRLR3410

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRLR3410PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLR3410PBF

LogicLevelGateDrive

IRF

International Rectifier

IRLR3410TR

TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRLR3410TR

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering techniques. Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossible intypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=105mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRLR3410TRPBF

LogicLevelGateDrive

IRF

International Rectifier

IRLR3410TRPBF

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFR3410TR

  • 功能描述：

    MOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
23+
TO-252
20540
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢(xún)價(jià)
IR
2020+
TO-252
9600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO-252
20000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/IR
1907+
NA
2000
20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
23+
TO252
18500
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO252
42000
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
22+
sot
6600
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
 詢(xún)價(jià)
Infineon Technologies
24+
D-Pak
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢(xún)價(jià)
IR
16+
TO-252
36000
原裝正品,優(yōu)勢(shì)庫(kù)存81
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
23+
TO-252
4000
只做原裝全系列供應(yīng)價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
更多IRFR3410TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 18:02:00

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