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IRFR3709Z中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR3709Z
廠商型號

IRFR3709Z
功能描述

MOSFET
文件大小

360.22 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI【翊歐】

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-3 20:00:00

IRFR3709Z規(guī)格書詳情

Applications

High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

Lead-Free

Benefits

Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

Ultra-Low Gate Impedance

Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Features

VDS (V) = 30V

ID = 9.4A (V GS = 10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFR3709Z

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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