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IRFR9014TRPBF	文件：2.62994 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFETl Features *Vos=60V=-13A Rosion100mQ@Ves=10V Rosion110mQ@Vos=-4.5V(TYP)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFR9014TRPBF	文件：2.01341 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9014TRPBF	文件：1.02813 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFR9014TRPBFA	文件：4.53358 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9014TRPBFA	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR9014TRPBF-BE3	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFU9014	文件：188.89 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9014) ?StraightL	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9014	文件：177.68 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-5.1A) Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9014) ?StraightL	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9014	文件：306.39 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowerRDS(ON) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowerinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRFU9014	文件：2.01341 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFU9014	文件：345.48 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU9014	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surfacemount(IRFR9014,SiHFR9014) ?Straightlead(IRFU9014,SiHFU9014) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU9014PBF	文件：1.84209 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9014) ?StraightL	IRF International Rectifier	IRF
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ISL9014	文件：220.46 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR9014TRPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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