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IRFR9110TR中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR9110TR
廠商型號

IRFR9110TR
功能描述

Power MOSFET
文件大小

1.37621 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-27 23:00:00

IRFR9110TR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU Series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR9110/SiHFR9110)

? Straight Lead (IRFU9110/SiHFU9110)

? Available in Tape and Reel

? P-Channel

? Fast Switching

? Lead (Pb)-free Available

?

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFR9110TR

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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