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IRFR9210中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFR9210
廠商型號(hào)

IRFR9210
功能描述

Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
文件大小

172.29 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 18:38:00

IRFR9210規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR9210)

? Straight Lead (IRFU9210)

? Available in Tape and Reel

? P-Channel

? Fast Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFR9210

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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