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IRFR9N20DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR9N20DPBF
廠商型號(hào)

IRFR9N20DPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

222.52 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-16 22:59:00

IRFR9N20DPBF規(guī)格書詳情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR9N20DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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NA/
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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DPAK
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原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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