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IRFR9N20DPBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
IRFR9N20DPBF規(guī)格書(shū)詳情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFR9N20DPBF
- 功能描述：
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO |
37240 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
501010 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
DPAK |
22500 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
TO |
6000 |
原裝現(xiàn)貨,長(zhǎng)期供應(yīng),終端可賬期 |
詢價(jià) |
